东莞镀膜微纳加工实验室

众所周知，微纳米技术是我国贯彻落实“中国制造2025”和“中国创新2030”的重要举措与中心技术需求，是促进制造业高级化、绿色化、智能化的重要基础。基于物体微米、纳米尺度独特的物理和化学特性，研制新材料、新工艺、新器件的微纳制造技术，已经成为战略性新兴产业中心技术，必将对21世纪的航空、航天、信息科学、生命科学和健康保健、汽车工业、仿生机器人、交通、家具生活等领域产生深远的影响。推进微纳制造技术产业化落地，探讨产业化路径，遴选优良产业化示范项目。微纳制造技术是由零件构成的部件或系统的设计、加工、组装、集成与应用技术。东莞镀膜微纳加工实验室

基于光刻工艺的微纳加工技术主要包含以下过程：掩模（mask）制备、图形形成及转移（涂胶、曝光、显影）、薄膜沉积、刻蚀、外延生长、氧化和掺杂等。在基片表面涂覆一层某种光敏介质的薄膜（抗蚀胶），曝光系统把掩模板的图形投射在（抗蚀胶）薄膜上，光（光子）的曝光过程是通过光化学作用使抗蚀胶发生光化学作用，形成微细图形的潜像，再通过显影过程使剩余的抗蚀胶层转变成具有微细图形的窗口，后续基于抗蚀胶图案进行镀膜、刻蚀等可进一步制作所需微纳结构或器件。珠海光电器件微纳加工外协微纳加工设备主要有：光刻、刻蚀、成膜、离子注入、晶圆键合等。

MEMS工艺离不开曝光工艺。光刻曝光系统：接触式曝光和非接触式曝光的区别，在于曝光时掩模与晶片间相对关系是贴紧还是分开。接触式曝光具有分辨率高、复印面积大、复印精度好、曝光设备简单、操作方便和生产效率高等特点。但容易损伤和沾污掩模版和晶片上的感光胶涂层,影响成品率和掩模版寿命,对准精度的提高也受到较多的限制。一般认为，接触式曝光只适于分立元件和中、小规模集成电路的生产。非接触式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系统中，掩膜图形经光学系统成像在感光层上，掩模与晶片上的感光胶层不接触,不会引起损伤和沾污,成品率较高，对准精度也高，能满足高集成度器件和电路生产的要求。但投影曝光设备复杂，技术难度高，因而不适于低档产品的生产。现代应用较广的是 1:1倍的全反射扫描曝光系统和x:1倍的在硅片上直接分步重复曝光系统。

在微纳加工过程中，薄膜的形成方法主要为物理沉积、化学沉积和混合方法沉积。蒸发沉积（热蒸发、电子束蒸发）和溅射沉积是典型的物理方法，主要用于沉积金属单质薄膜、合金薄膜、化合物等。热蒸发是在高真空下，利用电阻加热至材料的熔化温度，使其蒸发至基底表面形成薄膜，而电子束蒸发为使用电子束加热；磁控溅射在高真空，在电场的作用下，Ar气被电离为Ar离子高能量轰击靶材，使靶材发生溅射并沉积于基底；磁控溅射方法沉积的薄膜纯度高、致密性好，热蒸发主要用于沉积低熔点金属薄膜或者厚膜；化学气相沉积（CVD）是典型的化学方法而等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是物理与化学相结合的混合方法，CVD和PECVD主要用于生长氮化硅、氧化硅等介质膜。微纳制造技术研发和应用标志着人类可以在微、纳米尺度认识和改造世界。

选择比指的是在同一刻蚀条件下一种材料与另一种材料相比刻蚀速率快多少，它定义为被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比。基本内容：高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。一个高选择比的刻蚀工艺不刻蚀下面一层材料（刻蚀到恰当的深度时停止）并且保护的光刻胶也未被刻蚀。图形几何尺寸的缩小要求减薄光刻胶厚度。高选择比在较先进的工艺中为了确保关键尺寸和剖面控制是必需的。特别是关键尺寸越小，选择比要求越高。广东省科学院半导体研究所。干法刻蚀能够满足亚微米/纳米线宽制程技术的要求，且在微纳加工技术中被大量使用。东莞刻蚀微纳加工工艺

光刻胶是微纳加工中微细图形加工的关键材料之一。东莞镀膜微纳加工实验室

微纳制造技术的发展，同样涉及到科研体系问题。严格意义上来说，科研分为三个领域，一个是基础研究领域，一个是工程化应用领域，一个是市场推广领域。在发达国家的科研机制中。几乎所有的基础研究领域都是由国家或机构直接或间接支持的。这种基础研究较看重的是对于国家、民生或**的长远意义．而不是短期内的投入与产出。因而致力于基础研究的机构或者人员。根本不用考虑研究的所谓“市场化”问题。而只是进行基础、理论的研究。另一方面。工程化应用领域由专门的机构或职能部门负责，这些部门从应用领域、生产领域、制造领域抽调**、学者及相关专业人员，对基础研究的市场应用前景进行分析，并提出可行性建议，末尾由市场或企业来进行工程化应用研究。末尾市场化推广的问题自然是企业来做了。中国的高校和研究机构，做纯理念和纯基础的并不多，中国大多是工程性项目研究。其理想模式为高校、研究所、企业三结合状态，各司其职，各负其责。微纳技术是继JT、生物之后。21世纪较具发展潜力的高新技术，是未来十年高增长的新兴产业。东莞镀膜微纳加工实验室

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